6月17日音信，国度常识产权局信息露馅，合肥晶书籍成电路股份有限公司央求一项名为“晶圆键合瞄准赔偿设施、电子开采和可读存储介质”的专利，授权公告号CN121793825B，授权公告日为2026年6月16日。央求公布号为CN121793825A，央求号为CN202610275407.8，央求公布日历为2026年6月16日，央求日历为2026年3月9日，发明东谈主伍德超、陈建松，专利代理机构上海想微常识产权代理事务所（等闲结伙），专利代理师宋艳，分类号H10W80/00。
专利摘记露馅，本发明提供了一种晶圆键合瞄准赔偿设施、电子开采和可读存储介质，该设施包括：取适现时键合晶圆对所对应的均在普通键合精度界限内的N组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据；针对每一组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据，凭据该组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据所对应的键合温度、键合压力、键合时间以及量测时间，校服该组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据的赔偿权重；凭据N组历史键合晶圆对瞄准偏差量测数据各自所对应的赔偿权重，对现时键合晶圆对进行瞄准偏差赔偿。本发明不错灵验保证晶圆键合瞄准赔偿的准确性，灵验提高晶圆键合瞄准精度，升迁居品全体一致性和坐蓐良率。
晶书籍成开采于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交游所上市，开云体育app2026世界杯中国官网下载注册地址与办公地址均波及安徽省合肥市。该公司是国内逾越的12英寸晶圆代工企业，具备较强时刻实力与限度上风，投资价值突显。
晶书籍成主要从事12英寸晶圆代工业务，专注研发并应用先进工艺，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工劳动。所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，波及MCU成见、MR头显、芯片成见等板块。
2025年，晶书籍成贸易收入为108.85亿元，在行业7家公司中名顺序4，行业第又名中芯外洋为673.23亿元，第二名华虹宏力为172.91亿元，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。主贸易务中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。净利润方面，2025年为4.66亿元，行业名次相同为第4，行业第又名中芯外洋72.09亿元，第二名赛微电子13.88亿元，行业平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。
2026世界杯中国官方入口合肥晶书籍成电路股份有限公司近期专利情况如下：
序号专利称呼专利类型法律气象央求号央求日历公开(公告)号公开(公告)日历发明东谈主1斗殴孔残障检测设施、安设、开采、介质和枢纽居品发明专利公布CN202610694586.92026-05-20CN122218003A2026-06-16李璐、张利强、杜悦珲、鄢志忠、李佛富、林今焕2一种半导体开采的参数化单位的选项的自动生成设施发明专利公布CN202610685344.32026-05-19CN122221790A2026-06-16前田圭司、伊藤真浩3一种半导体器件过甚制备设施发明专利公布CN202610677493.52026-05-18CN122227654A2026-06-16姜恒、李毅、施平4检索模子的检会设施、检索设施和电子开采发明专利公布CN202610674244.02026-05-15CN122198022A2026-06-12张潇、郭雅静、萧礼明、张贺、蒋治纬5LDMOS器件的阈值电压的APC设施、系统、介质及居品发明专利公布CN202610667846.32026-05-15CN122205903A2026-06-12陈晓妍、王梦慧6一种反映腔室的漏率监测设施、安设及半导体工艺开采发明专利公布CN202610667786.52026-05-15CN122217543A2026-06-16王昆、周俊、刘志强、徐阳7一种半导体器件过甚制作设施发明专利公布CN202610660032.72026-05-14CN122205918A2026-06-12韩小虎、邓少鹏8半导体河山结构及双栅氧化层制备设施发明专利公布CN202610663071.22026-05-14CN122205953A2026-06-12徐锐、宋聪强9一种半导体器件过甚制作设施发明专利公布CN202610659999.32026-05-14CN122205917A2026-06-12韩小虎、邓少鹏10芯片布局模子的检会设施、芯片布局设施及联系安设发明专利公布CN202610646614.X2026-05-12CN122174775A2026-06-09郭雅静、张潇、都天翔、萧礼明、蒋治纬11半导体结构及制备设施发明专利公布CN202610644817.52026-05-12CN122180135A2026-06-09巫振伟、汪雪春12一种半导体器件的测试设施及测试安设发明专利公布CN202610644841.92026-05-12CN122193862A2026-06-12刘至宜、汪小小、陈帅、张慧玲13光阻层的造成设施及半导体结构发明专利公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明14半导体结构、栅极结构的制备设施及裁汰残障的设施发明专利公布CN202610627967.52026-05-09CN122180129A2026-06-09张鑫、周晓慧、马亚强、陈学刚15半导体结构及制备设施发明专利公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露16用于工艺监测的裂缝尺寸条形结构及裂缝尺寸监测设施发明专利公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟17OPC模子的更变设施、系统及筹办机可读存储介质发明专利推行审查的收效、公布CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29王康、罗招龙18一种光刻套刻破绽的赔偿设施、系统和开采发明专利推行审查的收效、公布CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29何赵鑫、黄胜19深湛孔制备设施及背照式图像传感器的制备设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29郇小伟、金文祥、褚冉20一种掩膜河山优化设施、开采、存储介质及枢纽居品发明专利推行审查的收效、公布CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29赵广、罗招龙、张国乾21裁汰F离子注入在CIS居品上产生白像素的设施及系统发明专利推行审查的收效、公布CN202610551158.02026-04-24CN122094205A2026-05-26吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽22半导体结构过甚制备设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26王文智、王仲盛23半导体器件过甚制造设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19运广涛、邵章一又、苏圣哲、罗钦贤24静态存储器的最小职责电压的瞻望设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19田志锋、沈洁25一种SRAM集成电路结构、静态就地存取存储器过甚制备设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞26一种SRAM集成电路结构、静态就地存取存储器过甚制备设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610526755.82026-04-21CN122094096A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞27一种半导体结构的制备设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷28一种斗殴孔过甚造成设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19贾涛、董宗谕、王佳佳29半导体结构的制作设施及半导体结构发明专利推行审查的收效、公布CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19高佑琳、高志杰、盛云、王瑞30半导体结构过甚制备设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕31半导体器件过甚制作设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕32一种半导体结构过甚制造设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊33半导体结构过甚制备设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12宋富冉、刘乃硕34光学把握效应修正模子的更变设施及数据集聚设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12王康、罗招龙35电性测试结构过甚测试设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼36伽马电阻的阻值波动的监控设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12李健、邵迎亚、汪雪春37一种半导体芯片的河山盘算设施及河山盘算系统发明专利推行审查的收效、公布CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15杨杰、郭哲劭、郭廷晃38黄光制程曝光能量校服设施、电子开采和存储介质发明专利推行审查的收效、公布CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08胡玉明39一种半导体结构的制备设施和半导体结构发明专利推行审查的收效、公布CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08李雯琴、王文轩40一种化学气相千里积开采过甚温度抵制设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12黄看看、王松、周丹玫、胡万春41晶体管结构过甚制备设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610468691.02026-04-10CN122121263A2026-05-29张帅博、郭廷晃42铝衬垫制备设施及半导体发明专利推行审查的收效、公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕43一种去除自瞄准硅化物中未反映镍铂合金的设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛44半导体器件的残障测试设施和半导体器件发明专利推行审查的收效、公布CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀45半导体结构、制备设施、键合设施及半导体器件发明专利推行审查的收效、公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健46套刻秀雅结构过甚制造设施、套刻秀雅尺寸选拔设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05刘华龙、张祥平47半浮栅晶体管过甚制备设施、包含其的存储器件发明专利推行审查的收效、公布CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01李猛猛48LDMOS器件过甚制备设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01刘东山、吴其洪49半导体结构制备设施及半导体结构发明专利推行审查的收效、公布CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05王文智50电容结构过甚制造设施发明专利推行审查的收效、公布CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05刘晨曦、蔡承佑、丁好意思平、陆莹莹、周迪kaiyun.com入口
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